210度高温动态存储器批发-动态存储器-启尔特(查看)

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2024-12-27  
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现在各新兴存储器的发展各占区位,mram在嵌入式的应用站稳位置,pcm和reram则往scm方向发展,210度高温动态存储器批发,asml的scm技术路标上的两个竞争者就是pcm和reram,动态存储器,虽然现在reram的实际容量还小。但是未来真正的决胜点,我认为是哪里一种新兴存储器能做到真正的3d制程,150度动态存储器批发,而不是cross-point,这样才有可能在价格上与3d nand竞争。


210度eeprom存储器
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随着技术的不断进步,eepromelectrically erasable programmable read-only memory,电可擦除可编程只读存储器来了,解决了rom过去历史中存在一些问题。

早期的eeprom: 早期的eeprom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或者1,现在基本以字节为单位了。

早期的eeprom具有较高的---性,但是电路更复杂,其成本也更高,因此eeprom的容量都很小,从几kb到几百kb不等。有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因,ram的容量也不大。 如今的eeprom支持连续多字节读写操作了,算是已经发展到很厉害的水平了。




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存取时间访问时间ta:从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构。

例如:

rom存取时间通常为几百ns;

ram存取时间通常为几十ns到一百多ns;

双极性ram存取时间通常为10~20ns。




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